| Littelfuse IXYT55N120A4HV IGBT TO-268HV 1200 V Tube |
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Littelfuse IXYT55N120A4HV IGBT TO-268HV 1200 V TubeDiscrete IGBT XPT Gen 4 1200V TO268HVTechnische Daten: Gehäuseart (Halbleiter): TO-268HV · Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 1200 V · VCE Sättigung (max.): 1.8 V · Verpackungsart (Bauteile): Tube · Weitere technische Daten: Package Type: TO-268HV VCES - Collector-Emitter Voltage (V): 1200 VCollector Current @ 25 ℃ (A): 175 AVCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V): 1.8 VFall Time [Inductive Load] (ns): 270 nsConfiguration: Single Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W): 0.23 K/WCollector Current @ 110 ℃ (A): 55 ATurn-off Energy @ 150 ℃ (mJ): 8.8 mJ
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > IGBTs
Hersteller: Littelfuse
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