| Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCP56-10,115 SOT-223 Anzahl Kanäle 1 NPN |
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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCP56-10,115 SOT-223 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 960 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 180 MHz · VCE Sättigung (max.): 500 mV
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: Nexperia
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