| STMicroelectronics STP10NK60Z MOSFET 1 N-Kanal 115 W TO-220 |
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STMicroelectronics STP10NK60Z MOSFET 1 N-Kanal 115 W TO-220 STM Leistungs-MOSFETs STP_ TO220Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 600 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220 · I(d): 10 A · Leistung (max) P(TOT): 115 W · Montageart: Durchführungsloch · R(DS)(on): 0.75 Ω
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Feldeffekttransistoren > MOSFETS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
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