| STMicroelectronics STD3NK100Z MOSFET 1 N-Kanal 90 W TO-252 |
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STMicroelectronics STD3NK100Z MOSFET 1 N-Kanal 90 W TO-252 STM SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet STD_Technische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 1000 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Gehäuseart (Halbleiter): TO-252 · I(d): 2.5 A · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 6 Ω
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Feldeffekttransistoren > MOSFETS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
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