| ON Semiconductor Optokoppler Phototransistor CNY173M DIP-6 Transistor mit Basis DC |
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ON Semiconductor Optokoppler Phototransistor CNY173M DIP-6 Transistor mit Basis DC Optokoppler/-IsolatorTechnische Daten: Abfallzeit: 3.5 µs · Anstiegszeit: 4 µs · Anzahl Kanäle: 1 · Ausgabetyp: Transistor mit Basis · Betriebstemperatur (max.): -40 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): +100 °C · Durchlassspannung U(F) max.: 1.65 V · Durchlassspannung U(F) min.: 1 V · Durchlassspannung U(F) typ.: 1.35 V · Durchlassstrom I(F): 60 mA · Eingangstyp: DC · Gehäuseart (Halbleiter): DIP-6 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Isolationsspannung: 4170 V RMS · Kriechstrecke: 7 mm · Leistung (max) P(TOT): 270 mW · Montageart: Durchführungsloch · Spannungs-Ausgabe (max): 70 V · Sperrspannung U(R): 6 V · Strom-Übertragungsrate (min.): 100 % · Strom-Übertragungsrate (min.) - Stromreferenz: 10 mA · Stromausgang/Kanal: 50 mA · Stromübertragungsverhältnis (max.): 200 % · VCE Sättigung (max.): 400 mV
Kategorie: Aktive Bauelemente > Optoelektronik > Optokoppler
Hersteller: ON Semiconductor
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