| Nexperia Transistor (BJT) - diskret BST52,115 SOT-89-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington |
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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BST52,115 SOT-89-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 2000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 10 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 500 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): 50 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V · Leistung (max) P(TOT): 1.3 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 200 MHz · VCE Sättigung (max.): 1.3 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: Nexperia
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