| Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCX53-10,115 SOT-89-3 Anzahl Kanäle 1 PNP |
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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BCX53-10,115 SOT-89-3 Anzahl Kanäle 1 PNP TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1 A · DC Stromverstärkung (hFE): 63 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -80 V · Leistung (max) P(TOT): 1.3 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 145 MHz · VCE Sättigung (max.): -500 mV
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: Nexperia
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