| Nexperia Transistor (BJT) - diskret BF622,115 SOT-89-3 Anzahl Kanäle 1 NPN |
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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BF622,115 SOT-89-3 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 50 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 50 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 20 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 25 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-89-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): 10 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 250 V · Leistung (max) P(TOT): 1.1 W · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 60 MHz · VCE Sättigung (max.): 600 mV
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: Nexperia
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