| Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC857C,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP |
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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC857C,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 PNP TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): -15 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -45 V · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Serie (Halbleiter): Technique automobile/AEC-Q101 · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): -650 mV
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: Nexperia
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