| Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC817-40,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 NPN |
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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC817-40,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 500 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 250 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 1 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 700 mV
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: Nexperia
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