| STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD911 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN |
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BD911 TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-LeistungstransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 15 A · DC Stromverstärkung (hFE): 15 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 4 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 5 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-220AB · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): STM · Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 100 V · Leistung (max) P(TOT): 90 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 3 MHz · VCE Sättigung (max.): 3 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: STMICROELECTRONICS
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