| ON Semiconductor NDT2955 MOSFET 1 P-Kanal 1.1 W SOT-223-4 |
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ON Semiconductor NDT2955 MOSFET 1 P-Kanal 1.1 W SOT-223-4 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 601 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 30 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-223-4 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 2.5 A · Leistung (max) P(TOT): 1.1 W · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 15 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 300 mΩ · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.5 A · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Feldeffekttransistoren > MOSFETS
Hersteller: ON Semiconductor
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