| ON Semiconductor NDS7002A MOSFET 1 N-Kanal 300 mW SOT-23-3 |
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ON Semiconductor NDS7002A MOSFET 1 N-Kanal 300 mW SOT-23-3 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -65 °C · C(ISS): 50 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 280 mA · Leistung (max) P(TOT): 300 mW · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 2 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 500 mA · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2.5 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Feldeffekttransistoren > MOSFETS
Hersteller: ON Semiconductor
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