| ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 1 P-Kanal 360 mW SOT-23-3 |
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ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 1 P-Kanal 360 mW SOT-23-3 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 60 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): P-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 79 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 120 mA · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 2.5 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 10 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 500 mA · Transistor-Merkmal: Standard · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA · U(GS)(th) max.: 3.5 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Feldeffekttransistoren > MOSFETS
Hersteller: ON Semiconductor
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