| ON Semiconductor MMBFJ202 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3 |
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ON Semiconductor MMBFJ202 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 40 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Leistung (max) P(TOT): 350 mW · Montageart: Oberflächenmontage · U(GS)(off): 800 mV · U(GS)(off) Referenz-Strom: 10 nA
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Feldeffekttransistoren > MOSFETS
Hersteller: ON Semiconductor
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