| ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3 |
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ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 73 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · I(d): 170 mA · Leistung (max) P(TOT): 360 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Q(G): 2.5 nC · Q(G) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on): 6 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 170 mA · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA · U(GS)(th) max.: 2 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Feldeffekttransistoren > MOSFETS
Hersteller: ON Semiconductor
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