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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13616STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 PNP TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-Strom I(C): -1.5 A · DC Stromverstärkung (hFE): 100 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: -2 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: -150 mA · Gehäuseart (Halbleiter): TO-126 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): -100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): -45 V · Leistung (max) P(TOT): 1.25 W · Montageart: Durchführungsloch · VCE Sättigung (max.): -500 mV
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: ON Semiconductor
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