| ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BCV27 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington |
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BCV27 SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN - Darlington · Collector-Strom I(C): 1.2 A · DC Stromverstärkung (hFE): 20000 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 100 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23-3 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 100 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 30 V · Leistung (max) P(TOT): 350 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 220 MHz · VCE Sättigung (max.): 1 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: ON Semiconductor
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