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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2SC5200OTU TO-264 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 17 A · DC Stromverstärkung (hFE): 80 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 1 A · Gehäuseart (Halbleiter): TO-264 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): OnS · Kollektor Reststrom I(CES): 5 µA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 250 V · Leistung (max) P(TOT): 150 W · Montageart: Durchführungsloch · Transitfrequenz f(T): 30 MHz · VCE Sättigung (max.): 3 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: ON Semiconductor
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