| Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC847C,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 NPN |
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Nexperia Transistor (BJT) - diskret BC847C,215 SOT-23 Anzahl Kanäle 1 NPN TransistorTechnische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 100 mA · DC Stromverstärkung (hFE): 420 · DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 5 V · DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 2 mA · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · Kollektor Reststrom I(CES): 15 nA · Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Oberflächenmontage · Transitfrequenz f(T): 100 MHz · VCE Sättigung (max.): 400 mV
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Transistoren bipolar, IGBTs > Transistoren
Hersteller: Nexperia
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