| Nexperia BSS123,215 MOSFET 1 N-Kanal 250 mW SOT-23 |
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Nexperia BSS123,215 MOSFET 1 N-Kanal 250 mW SOT-23 MOSFETTechnische Daten: Abbruchspannung U(BR) (DSS): 100 V · Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): N-Kanal · Betriebstemperatur (max.): +150 °C · Betriebstemperatur (min.) (num): -55 °C · C(ISS): 40 pF · C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V · Gehäuseart (Halbleiter): SOT-23 · Hersteller-Kürzel (Bauelemente): NEX · I(d): 170 A · Leistung (max) P(TOT): 250 mW · Montageart: Oberflächenmontage · R(DS)(on): 6 Ω · R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V · R(DS)(on) Referenz-Strom: 120 mA · Serie (Halbleiter): TrenchMOS™ · Transistor-Merkmal: Logic Level Gate · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA · U(GS)(th) max.: 2.8 V
Kategorie: Aktive Bauelemente > Halbleiter > Feldeffekttransistoren > MOSFETS
Hersteller: Nexperia
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